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IPD036N04L G /
IPD036N04L G的规格信息
IPD036N04L G的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：6300pF @ 20V

Vgs（最大值）：±20V

功率耗散（最大值）：94W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.6 毫欧 @ 90A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PG-TO252-3

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源极电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 45µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：78nC @ 10V

安装风格：SMD/SMT

通道数量：1Channel

晶体管极性：N-Channel

Id-连续漏极电流：90A

Rds On-漏源导通电阻：3.6mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压：1.2V

Vgs - 栅极-源极电压：10V

Qg-栅极电荷：59nC

最小工作温度：-55C

最大工作温度：+175C

配置：Single

Pd-功率耗散：94W

通道模式：Enhancement

商标名：OptiMOS

封装：CutTape

高度：2.3mm

长度：6.5mm

系列：OptiMOS3

晶体管类型：1N-Channel

宽度：6.22mm

正向跨导 - 最小值：85S

下降时间：6ns

上升时间：5.4ns

典型关闭延迟时间：37ns

典型接通延迟时间：9.3ns

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs

供应商IPD036N04L G
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深圳市威雅利发展有限公司IPD036N04L G华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
18124047120		韩雪Email:3004202884@qq.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPD036N04L G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
现代芯城（深圳）科技有限公司IPD036N04L Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457		董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPD036N04L G华强北宝华大厦A座8080755-82811430，0755-82818091
15989349634，13798567707		朱丽娜skype:bhtkj@hotmail.comEmail:bob@bhtkj.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPD036N04L G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392		陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
集好芯城IPD036N04L G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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深圳和润天下电子科技有限公司IPD036N04L G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395，19129491930蔡经理，张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司IPD036N04L G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
18938047708/18938048779		林炜东，林俊源Email:3004003952@qq.com询价
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13826514222		余先生，张先生Email:grady4222@126.com询价
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13480875861		雷小姐，微信与手机号同号QQ无回复请加微信或打电话Email:2053086415@qq.com询价
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深圳市河锋鑫科技有限公司IPD036N04L G华强北现代之窗A 9D0755-23903154
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深圳市安富世纪电子有限公司IPD036N04L G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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深圳市凌特半导体科技有限公司IPD036N04L G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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IPD036N04L GMOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO153.73 Kbytes共9页IPD036N04L G的PDF下载地址无
IPD036N04L G连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 45uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W(Tc) 类型：N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO153.35 Kbytes共9页IPD036N04L G的PDF下载地址无
IPD036N04L G的全球分销商及价格
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元器件资料网-Arrow(艾睿)的LOGO
Arrow(艾睿)		IPD036N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A2500+:￥3.17
5000+:￥3.0099
12500+:￥2.9
25000+:￥2.81
62500+:￥2.721+:￥6.26
10+:￥5.05
100+:￥3.88
500+:￥3.43
1000+:￥3.3499
2500+:￥3.08
10000+:￥3
25000+:￥2.91
50000+:￥2.84011+:￥7.88
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100+:￥5.65
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1000+:￥3.9
2500+:￥3.34
5000+:￥3.1910+:￥3.8401
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元器件资料网-ChipOneStop的LOGO
ChipOneStop		IPD036N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A2500+:￥3.17
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元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		IPD036N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A2500+:￥3.17
5000+:￥3.0099
12500+:￥2.9
25000+:￥2.81
62500+:￥2.72
元器件资料网-element14 e络盟电子的LOGO
element14 e络盟电子		IPD036N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A2500+:￥3.17
5000+:￥3.0099
12500+:￥2.9
25000+:￥2.81
62500+:￥2.721+:￥6.26
10+:￥5.05
100+:￥3.88
500+:￥3.43
1000+:￥3.3499
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10000+:￥3
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元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPD036N04L GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A2500+:￥3.17
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10000+:￥3
25000+:￥2.91
50000+:￥2.8401
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子		IPD036N04L GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 31:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.3845
500:¥5.6387
2,500:¥3.955
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元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城		IPD036N04L GInfineon(英飞凌)连续漏极电流（Id）（25°C 时）：90A(Tc) 漏源电压（Vdss）：40V 栅源极阈值电压：2V @ 45uA 漏源导通电阻：3.6mΩ @ 90A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：94W(Tc) 类型：N沟道1+:￥9.78
10+:￥9.53
30+:￥6.83
100+:￥6.71
IPD036N04L G的相关型号
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